Ru-Board.club
← Вернуться в раздел «Выбор комплектующих»

» Выбор оперативной памяти

Автор: OldGopher
Дата сообщения: 19.07.2004 14:40
DmitryP
Micron ничего так. На нем делают стики в частности Corsair и Crucal...
Двухканальный режим даст 5-10% скорости...

Про ТА - не знаю.

Касательно ZAP есть одна проблемка - не все фирмы любят на нем выставляться.
Иногда поглюкивает...
Автор: VdV
Дата сообщения: 19.07.2004 20:12

Corsair опять в лидерах: модули DDR2-667 и DDR400 с экстремальными задержками
Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 20.07.2004 01:18
Smart Modular DDR2 SDRAM Mini-DIMM


Цитата:
Компания Smart Modular Technologies сообщил о расширении линейки модулей DDR2 SDRAM 244-контактными Mini-DIMM, которые предлагаются моделями плотностью 256, 512 Мб и 1 Гб. Модули размером 1,18x3,23 дюйма предназначены для использования в маршрутизаторах, коммутаторах, телекоммуникационных системах, blade-серверах, принтерах и мультимедийном оборудовании. Как registered, так и нерегистровые версии модулей доступны в вариантах PC2-3200 и PC2-4300. 1 Гб небуферизованные модули с ECC и registered Mini-DIMM выполнены на компонентах в BGA-корпусах (stacked 512 Мбит (64x8) компонент

Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 21.07.2004 12:19
Matsushita приобретает у Rambus лицензию на интерфейсы DDR и XDR для бытовой электроники


Цитата:
Компания Matsushita Electric Industrial подписала с Rambus соглашение об интегрировании интерфейса DDR2 SDRAM с наборы микросхем базовой логики для цифровых телевизоров нового поколения, кроме того, японская компания приобрела лицензию на интерфейс XDR . для увеличения пропускной способности памяти. Предполагается, что использование Matshushita обоих интерфейсов позволит начать выпуск ряда наименований бытовой электроники в различных ценовых диапазонах. Стоит отметить, что Rambus . единственная компания, предлагающая интерфейсы контроллера DDR SDRAM, поддерживающие опциональный ?высокопроизводительный? режим работы, поддерживающий XDR DRAM, что дает 2-8 кратное увеличение пропускной способности системы памяти. Интерфейсы Rambus DDR и XDR выполнены в разных вариантах . в зависимости от использованной CMOS-технологии . от 0,25 мкм до 65 нм.; в настоящее время доступна версия, выполненная с использованием норм 0,13-мкм техпро цесса. Интерфейсы контроллеров памяти Rambus для бытовых систем и графических решений доступны в настоящее время, интерфейсы для системной памяти будут предложены в ближайшее время.

Автор: Barral
Дата сообщения: 26.07.2004 04:36
Память DDR800 к 2005 году в массы

Цитата:
Сейчас на рынке памяти DDR2 ситуация складывается не особо обнадеживающе – частоты памяти не превышают частоты обычной DDR, DDR2 400 и DDR2 533 ничем кроме цены не отличаются от памяти предыдущего поколения. Если отбросить необходимость приобретения такой памяти для использования с последними материнскими платами Intel на логике "Alderwood", то особого смысла раскошеливаться и нет. Понятно, что такой расклад не радует ни покупателей, ни производителей памяти. Однако будущее памяти DDR2 выглядит более радужно, частота в 667 МГц уже пала перед усилиями инженеров Corsair, фирма Kingston, хотя и не делает громких анонсов, но, видимо, так же достигла таких высот. Говорится, что достижение 800 МГц – всего лишь дело времени, как ни странно дальнейшие планы зависят от … Intel. Сейчас основной генератор спроса – это именно этот производитель и от его решений зависит будущее целого направления индустрии. Грань целесообразности проходит на частоте 666 МГц, так как чтобы нам ни говорили о улучшенных таймингах DDR 2 против DDR 1, особого роста производительности заметно не будет. До массового появления памяти с такой частотой, впрочем о массовости мы узнаем и по снижению цен, редкий человек позволит себе разорится на новый Intel Pentium 4, либо выберет чипсет Grantsdale 915P, прекрасно работающий с более дешевой памятью DDR1.

Автор: GONZA
Дата сообщения: 26.07.2004 07:42
makz

Цитата:
Думаю речь все же о 72 pins simm. Мег 40 на четверках видел, но не больше. В принципе, у 486 проца адресуемое пространство 4 гига, но у мамки свой потолок - рискну предположить, что 64 мега. Другой вопрос - нафига корове черкасское седло?

Спасибо болшье меня немучает этот вопрос 96 пошло мать даже непоперхнулась.
А насчёт коровы, если продолжать подобную аналогию то скорее уж страрая кобыла, теперь подкованная и больше неспотыкающаяся при всяких "неожиданностях"
типа подключения к инету, звуках... и т.п.
Тем неменее спасибо за отклик.
Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 26.07.2004 23:45
Micron начинает поставки образцов 128 Мбит микросхем PSRAM


Цитата:
Компания Micron Technology сообщила о выпуске и начале поставок образцов 128 Мбит микросхем CellularRAM с пакетным режимом работы . одних из первых компонентов PSRAM такой плотности. Новые микросхемы, как отмечается в пресс-релизе компании, выполнены с использованием архитектуры 6F2. Решения предназначены для использования в мобильных коммуникационных устройствах; архитектура ячейки позволяет снизить энергопотребление микросхем как в пассивном режиме, так и в режиме обращения. Среди прочих особенностей компонентов отмечены возможность чтения/записи 4,8,16, 32 словами или пакетами, улучшенная совместимость с протоколом пакетного режима работы флэш-памяти, переменная величина задержек, позволяющая как сократить продолжительность задержек и повысить пропускную способность микросхем. Кроме того, спецификация CellularRAM предусматривает использование компонентов в MCP-решениях без необходимости переразводк и подложек.По оценкам менеджера Micron по маркетингу DRAM, исходя из темпов роста производства CellularRAM, можно сделать вывод, что PSRAM может в скором времени заменить обычную асинхронную SRAM в секторе мобильных телефонов.

Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 27.07.2004 22:24
Samsung снижает цену 64 Мбит SDR SDRAM, Тайвань на грани паники


Цитата:
Компания Samsung Electronics, как сообщают дистрибьюторы на Тайване, планирует снизить цены 64 Мбит (4x16) микросхем SDRAM до 2 долларов в начале августа. Такого уровня цен на местном рынке не бывало с октября прошлого года и, что больше всего настораживает тайваньских производителей, эта цена очень близка к стоимости производства этих компонентов. Однако, даже при 2-долларовой цене у Samsung останутся преимущества перед конкурентами с Тайваня, поскольку корейский производитель использует более современные технологии, следовательно, стоимость производства 64 Мбит микросхем для Samsung ниже. Средние спотовые цены 64 Мбит (4x16) микросхем SDR SDRAM (PC-133 и PC-166) составляют около 2,48 и 2,57 доллара соответственно . по оценкам специалистов DRAMeXchange, это . самый низкий уровень за последние 8 месяцев

Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 30.07.2004 15:43
10 ведущих производителей DRAM во 2 кв. 2004, Hynix на втором месте


Цитата:
Как сообщает источник со ссылкой на iSuppli, Hynix, против которой ополчилось немало стран, не просто остается на плаву, а даже обошла по объемам продаж Micron и теперь занимает второе место в мире по продажам DRAM. Во всяком случае, утверждается, что это следует из предварительного отчета iSuppli.Это второе крупное достижение южнокорейской компании, вернувшей себе третье место в последнем квартале 2003 года (до Hynix на третьем месте по продажам DRAM была Infineon). Но, скорее всего, на этом продвижение Hynix к вершинам мирового рынка пока затормозится . догнать такого гиганта на рынке памяти, как занимающая ведущее место Samsung, кстати, тоже корейского, будет очень не просто. К тому же, Hynix ожидают новые разбирательства, и это может отрицательно повлиять на ее рыночную долю в будущем.За прошедший второй квартал доход Hynix вырос на 23%, в то время как аналогичный показатель Micron вырос всего на 2%. Несмотря на введенные против нее санкции, рыночная доля Hynix составила 16,9%, Samsung . 27,7%, а Micron . 15,3%.Отметим, что операционная норма прибыли Hynix является достаточно высокой . около 40% (самый высокий показатель нормы прибыли у Samsung), что было достигнуто благодаря предпринятым компанией шагам по снижению себестоимости производства. Средневзвешенная цена при усреднении по всему модельному ряду продуктов Hynix, включающий в себя чипы видеопамяти и SDRAM, составляет около 6,2 долларов.Заметим также, что снижение рыночной доли Micron и рост доли Hynix, скорее всего, обусловлены разной стратегией развития бизнеса. Hynix сфокусировалась на DRAM, в то время как Micron, так же как и Infineon, постепенно отходят от DRAM, предпочитая производить больше КМОП-сенсоров и логических микросхем.Наконец, японская Elpida Memory продемонстрировала рост рыночной доли в 76% и сейчас находится на пятом месте с 6,4% рынка. Резкий рост рыночной доли аналитики связывают с началом массового выпуска на 300-мм пластинах.Вот так выглядит рас пределение мест среди ведущих поставщиков памяти во втором квартале 2004 года:

Автор: sghi
Дата сообщения: 30.07.2004 16:04
Я тут несколько запутался, распутайте меня, пожалуйста.

Если купить материнскую плату на чипе nForce 2 400 Ultra с частотой системной шины 400 МГц, плюс процессор Атлон 3200+ тоже на 400 МГц, то какую память надо брать?

DDR400 или можно и DDR500 или 533. Вроде предпочтительнее, когда частота памяти совпадает с частотой системной шины (fsb), или я не прав и можно купить DDR500/533 для повышения общей производительности ПК? Да, сверх всего этого нужна робота памяти в двухканальном режиме.
Автор: Nep
Дата сообщения: 30.07.2004 18:25
sghi

Цитата:
Вроде предпочтительнее, когда частота памяти совпадает с частотой системной шины (fsb)

на nforce2 это утверждение верно!
Так что бери 400
главное с таймингами хорошими
Автор: VdV
Дата сообщения: 02.08.2004 00:55
Обзор OCZ DDR Booster
Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 04.08.2004 12:55
Elpida представила 512 Мбит микросхемы Mobile RAM


Цитата:
Компания Elpida Memory сообщила о выпуске 512 Мбит микросхем Mobile RAM, предназначенных для использования в системах в мобильных приложениях, требующих низкого энергопотребления компонентов при высокой плотности. Микросхемы выполнены из двух 256 Мбит компонентов (0,11-мкм техпроцесс, организация x16) Mobile RAM в MCP-корпусах. Организация EDL5132CBMA . 4M word x 32-bit x 4 bank, скорость передачи составляет 400 Мб/с. Решения предлагаются в 90-контактных FBGA-корпусах (9x13 мм); напряжение питания компонентов . 1,8 В. Одной из отличительных особенностей микросхем является технология автоматического регулирования периода обновления в зависимости от температуры (термодатчик встроен в кристалл), Auto Temperature Compensated Self-Refresh (TCSR).

Автор: MX17
Дата сообщения: 05.08.2004 09:13
такой вопрос
на моей материнке ( Asus P4S8X-X ) есть 3 слота для памяти. в руководстве по материнке написано что чип SiS может выдержать только 2 оперативки на чистоте 333mhz, что будет если я поставлю 3 оперативки на такой чистоте? получится что они все будут работать на более низких чистотах, усли вообще будут работать.?
Автор: VdV
Дата сообщения: 06.08.2004 20:06
Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 1: Модули Micron DDR2
http://ixbt.com/mainboard/memdb-micron-ddr2.shtml
Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 09.08.2004 22:22
Winbond меняет планы в отношении системной DRAM и PSRAM


Цитата:
Компания Winbond сообщила о планах сокращения в третьем квартале текущего года производства pseudo SRAM (PSRAM), а вот производство системной памяти за этот же период может увеличиться. 46% мощностей 8-дюймовых фабрик будет отведено под выпуск PSRAM (это на 4% меньше, чем во втором квартале), в то время как количество мощностей, выделенных под выпуск системной DRAM, увеличится с 5 до 14%. Основной причиной снижения производства PSRAM компания называет перегруппировку запасов заказчиками. Средняя цена продаж PSRAM в этом квартале может снизиться на 10%. Такие заявления крайне обеспокоили инвесторов, поскольку ранее компания планировала придерживаться прямо противоположной политики . дабы снизить свою зависимость от колебаний цен на рынке DRAM. Во втором квартале доля PSRAM и специализированной памяти компании составила 62% от общего объема продаж. Судя по всему, увеличение выпуска системной DRAM является результатом заключенного с Infineon соглашения с передачей технологий и резервированием производственных мощностей. Выпуск обычной DRAM составит в этом квартале 4 тыс. 8-дюймовых пластин ежемесячно, а в 4 квартале увеличится до 10 тыс. пластин.

Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 12.08.2004 01:39
Infineon обещает FB-DIMM во второй половине 2005 года


Цитата:
Компания Infineon Technologies сообщила об успешном завершении тестирования микросхем буферной памяти (advanced memory buffer, AMB), предназначенных для использования на новых поколениях серверных модулей на DDR2 SDRAM (FB-DIMM). Инженерные образцы для FB-DIMM с DDR2 DRAM будут представлены в 4 квартале 2004 года, на рынке решения появятся во второй половине 2005 года. Появление технологий высокоскоростной памяти и грядущий переход от DDR2 к DDR3, вкупе с увеличивающимися объемами данных, хранимыми и обрабатываемыми серверами, приводит к необходимости разработки новой архитектуры памяти для серверов. Модули, используемые сегодня, имеют параллельный доступ к шине (архитектура multi-drop-bus), в случае FB-DIMM используется канальная архитектура, обеспечивающая туннельное соединение между контроллером памяти и первым модулем на ка нале и между последующими модулями, находящимися с ним на одном канале. Такая архитектура делает загрузку шины независимой от скорости ввода/вывода DRAM и позволяет увеличить емкость памяти в системе. На микросхему AMB, располагающуюся на каждом FB-DIMM, возлагаются задачи по сбору и распределению данных от/к микросхем(ам) модуля, буферизации данных и переправлению (или получению) их следующему модулю или контроллеру. Стандарт JEDEC определяет для DDR2 800 максимальную скорость данных на контакт 4,8 Гбит/с; AMB Infineon в настоящее время уже обеспечивает скорость передачи 6 Гбит/с. Стандарт FB-DIMM предусматривает шестикратное увеличение мультиплексирования данных . для снижения физической ширины канала памяти и минимизации задержек при передаче.

Автор: OldGopher
Дата сообщения: 12.08.2004 08:19
Crazy Bull
Это очень серьёзное предложение Intel по реформированию памяти.
То, как они расписывают (думаю, близко к правде), заставляет меня перенести очередной апгрейд до внедрения full-buffered.

Полная разгрузка каналов памяти, развязка всех нагрузок и автоматическая компенсация длины пути - все это очень полезно...

Могут похоронить традиционный DDR ряд...
Автор: kraft
Дата сообщения: 12.08.2004 23:31
Есть 2 одинаковых модуля, но у одного Bit Organization x 4, а у другого Bit Organization x 8. Какой лучше и заменяет ли один другой?
Что лучше Leaded или Lead-free? Взаимозаменяемы ли?

Двухканальная память ставится парами. А если 2 процессора, то память общая для обоих, или каждому своя пара?
Спасибо.
Автор: TOLCH
Дата сообщения: 18.08.2004 14:55
Kingmax DDR2-533
Автор: VdV
Дата сообщения: 20.08.2004 10:19
Тестируем память takeMS 256MB DDR400 CL2.5
http://overclockers.ru/news/newsitem.shtml?category=2&id=1092948459
Автор: OldGopher
Дата сообщения: 20.08.2004 20:51
kraft
Память общая для обоих, если есть северный мост, или извращенное подключение как в схеме MSI K8 Master, если не ошибаюсь...

Если стоит Numa - память каждому своя, но поле памяти - общее, т.е. есть у каждого процесора приоритеты в адресах. Иначе - это не фоннеймовская машина в широком смысле...

Lead - свинец. Что лучше - понятия не имею. Для окружающей среды - лучше безсвинцовые.

Бит-организация - вопрос сложный. Некоторые чипсеты плевать хотели на бит-организацию, а некоторые - очень даже нежные. Надо пробовать...

P.S. Купил себе 1Г регистровой ЕСС памяти за 228 баксов. Получу месяца через два...
Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 24.08.2004 00:40
OCZ Technology: новый шаг к DDR2 800 SDRAM


Цитата:
Компания OCZ Technology решила на собственном примере показать энтузиастам возможности своей памяти нового поколения, DDR2 SDRAM, и на экспериментальном образце платы DFI на чипсете i915 преодолела 766 МГц барьер, заставив модули PC4300 работать с таймингами 4-5-5-15 и достигнув тактовой частоты 793 МГц. Как отметил директор по технологическому развитию компании, DDR2 SDRAM DIMM, работающие с тактовой частотой 766 МГц означают очередной шаг компании к разработке и выпуску DDR2 800 SDRAM DIMM. В настоящее время линейка модулей DDR2 SDRAM компании представлена решениями DDR2 PC2-4200 (DDR2 533 SDRAM) Platinum, серия Enhanced Bandwidth, DDR2 PC2-5400 (DDR2 667), серия Performance, DDR2 PC-4200 (DDR2 533 SDRAM DIMM), серия Value . во всех ценовых диапазонах.

Автор: SELECONICS
Дата сообщения: 24.08.2004 17:43
Вообщем вопрос такой возник. Есть мать GA 7N400L, Barton 3200 (разогнанный да и не разогнанный то же), есть 2 модуля памяти по 256 Mb от Samsung PC3200 + XP-SP1. Так вот при работе с приложениями (неважно какими, разными вообщем) после закрытия или просто переключения между окнами, все происходит очень медленно, такое ощущение, что нехватает памяти, хотя используется половина (смотрел в диспетчере задач), слышал что это возникает из-за режима двухканальности, т.е. если поставить одну планку памяти, то все ок. Хотя до этого был у меня комп Atlon 650 + 640 Mb DDR + XP, так вот комп же гораздо слабее нынешнего, так там таких проблем небыло, вот поэтому если есть смысл в дальнейшей возне, хочу купить одну планку на 1 гиг, и поставить, правда незнаю какой фирмы, если кто знает, помогите плз. Заранее спасибо.
Автор: Crazy Bull
Дата сообщения: 24.08.2004 22:19
Kingston представляет HyperX DDR2 533/675 SDRAM DIMM


Цитата:
Компания Kingston Technology сообщила о выпуске модулей памяти HyperX DDR2 533-МГц (PC2-4300) и 675-МГц (PC2-5400). Поставки DIMM уже начаты, правда, пока в ограниченном количестве. Линейка модулей представлена решениями емкостью до 1 Гб и поддерживается всеми последними чипсетами (реальная частота работы модулей зависит от конкретной платы). Kingston HyperX PC2-4300, как отмечается в пресс-релизе, поддерживают работу с таймингами 3-3-3-10, PC2-5400 . с таймингами 4-4-4-10. Прошивка таймингов в SPD соответствует требованиям JEDEC . 4-4-4-12

Автор: makz
Дата сообщения: 25.08.2004 09:14
SELECONICS
Лучше доплати немного, и поменяй мамку на абит или асус.
Автор: SELECONICS
Дата сообщения: 25.08.2004 13:29
makz

Цитата:
Лучше доплати немного, и поменяй мамку на абит или асус.


А какую модель лучше, от той и от этой формы.
Автор: Termoyad
Дата сообщения: 26.08.2004 22:04
Господа!

Пожалуйста, помогите выбрать оперативную память 2x256 Mb <PC-3200> для мамки ASUS P4P800-E Deluxe.

В статье написано, что "при установке же в систему на базе ASUS P4P800-E Deluxe модулей памяти с таймингами 2-2-2-5 и включения режима Performance Mode = Turbo уровень производительности этой платы вплотную приближается к уровню производительности ASUS P4С800-E Deluxe".

Соответственно, мне нужна память с таймингами 2-2-2-5. Ну и, желательно, в соответствии с Qualified Vendor List для моей мамки.

Чем больше предложите вариантов, тем лучше. Заранее спасибо.
Автор: MX17
Дата сообщения: 27.08.2004 14:21
Termoyad

как тебе PQI. http://www.pqimemory.com/spec.asp?link=/sc/PQI3200-512SBU.htm
Автор: igcomp
Дата сообщения: 27.08.2004 16:17
Termoyad
Бери Mushkin 256 MB DDR 433 PC 3500 DDR Mushkin
Точно не ошибешься с таймингами.

Добавлено
Посмотри http://www.mushkin.com/epages/mushkin.storefront
и поймешь все о таймингах.

Добавлено
Бери Mushkin CL2 Blue Line

Добавлено
Если надо на 3200 все равно 256MB PC3200 DDR CL2 Blue

Добавлено
Забыл показать

Добавлено
Не стоит петь "Копейкин блюз" из фильма Розыгрыш, где пел Харатьян. Лучше из этого фильма 1976 года "Бабочки летают"
Пусть и дороже но надежно.

Страницы: 12345678910111213141516171819202122232425262728293031323334353637383940414243444546474849505152535455565758596061626364656667

Предыдущая тема: Выбор и подбор железа для компа #4


Форум Ru-Board.club — поднят 15-09-2016 числа. Цель - сохранить наследие старого Ru-Board, истории становления российского интернета. Сделано для людей.