» Выбор. Оперативная память

Elpida: наверстывая упущенное

Цитата:

Планирует построить вторую 300 мм фабрику по производству памяти. С июня 2004 ведется строительство, на которое компанией затрачено уже около 960 млн. долларов США, а конечные затраты оцениваются в 4 млрд. долл. США.

На новом предприятии Elpida планирует выпускать до 60 тыс. 300-мм в месяц кремниевых подложек для производства модулей памяти [при полной загрузке]. Открытие и запуск в действие намечены на декабрь этого года. Начальный объем производства ~15 тыс. 300-мм пластин в месяц на протяжении первого квартала 2006 года.

В последнее время в свободной продаже модули памяти Elpida встречаются все реже, и то в основном под торговой маркой Kingstone, что немало портит имидж последней, т.к. те же модули Kingstone охотнее покупаются в том случае когда они собраны на микросхемах производства Hynix. Таким образом, видим, что компании не только следует совершенствовать техпроцесс, но и стараться увеличивать рыночную долю, как это недавно сделали другие производители памяти, построив дополнительные 300 мм фабрики.

Новостная лента, на вопросы не отвечают

samspb
в твоём вопросе - надо экспериментировать, на конкретном железе, на конкретных тестах,
но имхо ДДр-2 лучше, будет

[sorry offtop]
а то что тут новостная лента,
дык это просто не думая народ фундырит... посты
счётчик себе накручивает, откуда-ж ты думаешь беруться
мемберы-за-месяц, и участники имеющие 5-7 тысяч постов за год?
ведь ценность смысла их постов никто потом не измеряет,
только количество
[offtop end]

Titanium: новая серия модулей OCZ Technology
[off]Digital Ray
В точку.
[/off]

Digital Ray

Ты не понял, память DDR2 и та, и та, но разные тайминги и частота. Что лучше?

samspb
Может ты скажешь свою систему , а то абстактно быстрой памяти не бывает. ИМХО, если синхрон, то лучше 533 MHz CL3. А вообще DDR2 дорога и никаких существенных преимуществ перед DDR не имеет. Так что если это не вопрос престижа, то бери DDR, с синхронной работой с процессором и наименьшими таймингами.

pand

Выбираю память для платы Asus P5AD2-E Premium, плата позволяет хорошо гнать, с процессором определился, выбираю память DDR2 - 533 MHz CL3 или 675 MHz CL4, стОят примерно одинаково. Вопрос - можно ли сказать, какая память погонится до 710 - с меньшей частотой и меньшими таймингами или наоборот?

samspb
Мне кажется, что с 675 до 710 должна гнаться точно. Даже брендовая.
Как-никак превышение около 5% . Запас то должен быть. Хотя бы в четверть.
Но тайинги могут быть хуже CL4.
Я вот тоже маялся -брать Kingston или Patriot. В результате взял с манибэком
Samsung Original -попробовать. И тут у них кончился и Kingston и Patriot.
А потом кончился мэнибэк.(
И сижу с тем, что есть -гониться только до 240.
Так что если есть мэнибэк и запас денег -взять оба комплекта и прогнать,
чтобы не было мучительно больно.

ing

Тебя не кто не кидал, просто чипы на которых собраны модули могут быть от разных производителей. Я 1.5 года назад купил боксовый гиг.Kingston на Infineon. проблем не было, все по чесному, включая пожизненную гарантию.

Народ, а как вообще на глаз определить маркировку и обьём платы памяти? Имеется ввиду, когда ты её в руках держишь...

xxxuser
Посмотри просто на чипы впаяные в памать на них всё написано.

DjDevil2k

Спасибо, если так. Открою и посмотрю...

Добавлено:
Нет уж... Снимать пока не стану. Покажите, хоть что какие цифры обозначают... Нашёл я один скрин, там среди прочих на каждом чипе есть такие: 0016. Есть подозрение, что это мегабайты... Полная картина. Справа (сверху) на каждом чипе:
1-1
46V8M8
-8 ES B

Слева, то есть снизу:
0016
MT
TG

Это на примере. Свои пока не трогал.

Да, кстати. Тупой вопрос. Матка поддерживает память DDR SDRAM, DDRAM не поддерживает. Что будет, если туда засунуть ДДРАМ?. 3 варианта ответов:
А). Будет работать нормально,
Б). Будет распознаваться как СДРАМ, неправильный обьём и т. д.
В). Не будет работать вообще.

Материнская плата Epox 8KMM3I.

CeBIT 2005: TwinMOS демонстрирует DDR2-800 МГц

Вопрос скажем не совсем о памяти, а о производительности в целом. Скажем у меня сейчас 2x256MB PC3200 (Dual Channel), вообщем-то всё прекрасно работает. Появились деньги, в раздумии, стоит ли ставить 2x512MB PC3200, будет ли в этом смысл, прирост? Система следующая, P4P800, P4-3.2Gz. Или стоит уже задумываться о DDR2 и не стоит тратиться?

STEEL

Цитата:

стоит ли ставить 2x512MB PC3200

Смотря для каких задач. Если Ворд, Эксэль, то конечно не стОит, а если Фотошопы да 3ДМАКСы всякие, то имеет смысл.


Цитата:

Или стоит уже задумываться о DDR2 и не стоит тратиться?

Вот об этом я даже и не задумывался бы! Тем более, что
Цитата:

P4P800

Для ДДР2 нужна мать на интеловском 915, 925. Ну и проц новый.

Kingston: держим равнение на A-Data?

Цитата:

Если верить данным, опубликованных в тайваньских СМИ, Kingston на днях снизила цены на свои модули памяти до уровня, сравнимого с уровнем цен на модули тайваньского производства, а в некоторых случаях и ниже этого уровня. Причем Kingston, утверждает источник, собирается держать свои цены на уровне тайваньских производителей и в дальнейшем.

Снижение цен связано с ожиданием отрицательного роста рынка и продиктовано желанием стимулировать продажи. В дальнейшем Kingston, как полагают тайваньские дистрибьюторы памяти, собирается держать цены своих модулей на уровне цен тайваньской A-Data Technology.

В региональном офисе Kingston подтвердили, что компания собирается снижать цены на свою продукцию, но заявили, что Kingston устанавливает свою ценовую политику исходя из рыночных тенденций, а не на основе данных о ценах конкурента.

Ну, а в A-Data вообще сделали вид, что не слышали о снижении цен на модули Kingston, дабы не давать лишнюю пищу подобным слухам, хотя, кто знает, может, родоначальником подобных сведений были как раз ребята из A-Data?

------

xxxuser
Думаю, DDRAM в мамку с поддержкой SDRAM ты если и вставишь, то работать она точно не будет.

Мне бы PC100 128 Мб. Для свово второго пня в Питере прикупить

zelinski
Вряд ли найдёшь такую память. А не хочешь хотя бы 256 купить? Это даже меньше 100$ будет.

TwinMOS Speed Premium DDR433: модули для разгона начального уровня

Цитата:

Корпорация TwinMOS официально сообщила о выпуске первых модулей новой серии — Speed Premium DDR433, позиционируемых компанией как модули начального уровня с возможностями разгона до более высоких тактовых частот. В пресс-релизе утверждается, что эти модули могут быть разогнаны до 466 МГц.

Модули TwinMOS Speed Premium DDR433 построены на микросхемах WINBOND BH-5 и доступны в вариантах емкостью 256 и 512 Мб.

Toshiba и Elpida: 512 Мбит компоненты XDR DRAM, но — чуть-чуть разные

Цитата:

Одновременно две японские компании опубликовали пресс-релизы, посвященные XDR DRAM. Первая весточка — от Elpida, которая сообщила о выпуске 512 Мбит компонентов XDR DRAM — в ограниченных количествах; серийное же производство микросхем запланировано на вторую половину 2005 года. Тактовая частота работы микросхем — 3,2 ГГц, что обеспечивает пропускную способность 6,4 Гб/с. Память, как отмечается в пресс-релизе, ориентирована в первую очередь на использование в бытовой электронике — цифровых телевизорах, «домашних серверах», которые предъявляют повышенные требования к пропускной способности памяти для поддержки high-end графики, мультимедийных потоков и т.п.

Организация 512 Мбит компонентов XDR DRAM компании (EDX5116ABSE) — 4M word x 16-bit x 8 bank, тактовая частота работы — 2,4/3,2 и 4,0 ГГц, что позволяет превысить пиковую пропускную способность компонентов DDR2 SDRAM в 4 раза. Микросхемы, как сообщается, выполнены с использованием 0,10-мкм техпроцесса и предлагаются в 104-контактных FBGA-корпусах. Что касается прочих параметров компонентов, то они достаточно стандартны: время такта — 40 нс, питание (VDD) — 1,8±0,09 В, интерфейс — DRSL (Differential Rambus Signaling Level).

Второй пресс-релиз — Toshiba, которая демонстрировала 512 Мбит компоненты XDR DRAM с тактовой частотой 3,2 ГГц в далеком 2003 году. На сей раз компания представила микросхемы все той же плотности, но с тактовой частотой уже 4,8 ГГц (TC59YM916BKG) при напряжении питания 1,8 В, поставки образцов новинок уже осуществлены. Время такта, организация, напряжение питания микросхем, интерфейс идентичны показателям микросхем Elpida. Микросхемы выполнены в BGA-корпусе и предназначены для использования в первую очередь в мультимедийных устройствах, в частности, новой игровой приставке PS от Sony.

Стоит напомнить, что на начальном этапе 512 Мбит микросхемы XDR DRAM производились по 0,13-мкм технологии, после чего компания начала осуществлять переход на 0,11-мкм технологию (уж не это ли первые образцы?), серийное производство микросхем по новому техпроцессу было запланировано на текущий год. В 2006 году компания надеется перейти на 90-нм технологию. Год назад руководство Toshiba сообщило о том, что XDR DRAM станет одним из приоритетных направлений развития компании и, похоже, программа постепенно реализуется в жизнь. Что же, пока все указывает на то, что стремление Rambus сделать XDR DRAM mainstream-памятью к 2006 году — отнюдь не пустые слова.

Цена PBGA-подложек для микросхем памяти увеличится в июне на 10-15%

Цитата:

По информации производителей на Тайване, цены PBGA-подложек для ИС начиная с июня могут вырасти на 10-15% из-за увеличивающегося спроса со стороны производителей сетевой памяти и микросхем системной памяти. В начале этого года цена таких подложек была снижена в среднем на 5% — из-за перенасыщения рынка. В феврале поставки PBGA-подложек начали, однако, снижаться, что было вызвано перегруппировкой мощностей и фокусировании на выпуске подложек для микросхем в корпусах FC (flip-chip) и CSP (chip scale package) — для удовлетворения потребностей производителей графических процессоров и наборов миросхем базовой логики.

Практически одновременно с ростом спроса на подложки из этих двух секторов рынка, активизировались и поставщики сетевой памяти и микросхем системной памяти, поэтому в марте образовался даже дефицит поставок PBGA-подложек. Предполагается, что на протяжении всего этого года спрос на подложки со стороны производителей системной памяти будет постоянно увеличиваться, что обусловлено планами по увеличению выпуска микросхем DDR2 SDRAM.

Напомним, что при выпуске микросхем памяти нового поколения производители компонентов вынуждены перейти от TSOP (thin small outline package)-корпусов на использование BGA-корпусов, включая Window BGA, Mini BGA и Micro BGA.

Не долог век DDR2

Цитата:

Согласно информации сайта X-bit labs, компания Samsung получила в феврале опытные образцы чипов памяти DDR3 плотностью 512 Мб способных работать на частоте 1066 МГц. Сейчас чипы изготавливаются по техпроцессу 90 нм, но ожидается, что серийные образцы будут выпущены по 80 нм.

По данным IDC в 2009 году доля продаваемой памяти DDR3 будет составлять 65% от всего рынка. А первый чип будет продан уже в 2006 году.

Не долгий срок пророчат производители для памяти DDR2. Тем более странным выглядит её высокая цена.

"не хочешь хотя бы 256 купить?" - У меня второй пень на старой матери. Она память больше 128 не опознаёт. У знакомой есть третий пень. Мог бы купить ей в подарок 256 метровую озуху, если дёшево.

zelinski
Я себе купил 512 за 100 с копейками $, 256 будет стоить где-то в районе 65$.
А себе если будешь покупать, смотри на производителя. Kyngston, Samsung или что-то в этом духе

StringTheGreat, Спасибо! Кстати, видел в "Компьютерном Мире" 128 РС133 за 800 руб. Дороговато в крупных фирмах покупать...

Хотелосьбы услышать мнение о
DDR SDRAM 512Mb <PC-3200> w/SPD chip 400MHz Kingmax

Спасибо!

Micro-threading — технология оптимизации выборки в памяти Rambus

Цитата:

Компания Rambus, специализирующаяся на разработке высокоскоростных интерфейсов памяти в первую очередь, представила новое архитектурное решение, позволяющее увеличить эффективность подсистемы памяти (почти в 4 раза по сравнению с обычной DRAM) графических систем (при работе с трехмерной графикой, обработкой видео), а также сетевого оборудования (маршрутизаторов и коммутаторов). Такой прирост производительности становится возможным благодаря использованию в ядрах DRAM микропотоков передачи данных (micro-threading в терминах компании).

Использование микропотоков позволяет DRAM обеспечить большую пропускную способность при работе с контроллером. В случае обычных mainstream-микросхем DRAM, используемых в настоящее время, за одну операцию передается объем данных, фактически избыточный для большинства приложений, в результате чего большая часть пропускной способности используется для передачи небольшого количества значимых данных. Использование микропотоков позволяет передавать релевантные данные небольшими порциями, что повышает эффективность подсистемы памяти при одновременном снижении энергопотребления. С использованием микропотоков различные разделы ядра получают собственные адреса, что позволяет контроллеру одновременно генерировать несколько micro-RAS и micro-CAS-команд за то же время, которое требуется обычной памяти на одну RAS или CAS команду. Банки с одновременным доступом позволяют организовать одновременное получение данных, которые затем передаются за одну передачу. Ничего не напоминает? Правильно, так называемый планируемый параллелизм (Scheduling Parallelism, раздел «Основные особенности интерфейса SYNCLINK» в статье). Как прокомментировал пресс-релиз компании Максим Лень aka C.A.R.C.A.S.S., можно проследить некоторые аналогии с SLDRAM, хотя технологии подобные, но не аналогичные. В случае SLDRAM не уделяется особое внимание именно механизму выборки данных по признаку — все данные идут одним потоком, а эффективность повышается благодаря высокой гранулярности (градация массива данных). В данном случае (Rambus) оптимизация выборки происходит благодаря использованию своего рода виртуально выделенных каналов. Разумеется, на 100% в правильности аналогий уверенным быть пока нельзя — все же известно, как механизм выборки реализован в SLDRAM, но можем только с определенной долей вероятности предположить, что может скрываться за этим анонсом Rambus

Трехмерные приложения (игры и пакеты для моделирования) работают со сложными сценами, состоящими из большого количества текстурированных полигонов или треугольников. Анализ, проведенный специалистами Rambus, показал, что стандартные микросхемы GDDR SDRAM, используемые в видеокартах сегодня, имеют производительность от 50 до 125 млн. треугольников/с, использование микропотоков может увеличить это количество до 100-500 млн. треугольников/с. Наибольшая польза от разработки видится в том, что реализация микропотоков в ядрах существующих компонентов DRAM не потребует большого количеств дополнительных затрат. Стоит, однако, отметить и тот факт, что для работы с такой DRAM производителям придется провести оптимизацию контроллеров памяти.