[more] [more] Доброго времени суток, вопрос такой:
Хочу увеличить память с 2Гб до 4Гб, стояли 2 планки по 1ГБ 667МГц, купил 2 планки кингстоун по 2Гб 800МГц, в случае установки обеих планок по 2Гб комп вообще не запускается, если одна старая и одна новая то все норм грузится, работает и определяет правильный объём памяти. В чем может быть причина?
PS Все доступные настройки БИОС уже излазил.
PPS Техническая информация:
--------[ AIDA64 Extreme ]----------------------------------------------------------------------------------------------
Версия AIDA64 v4.20.2800/ru
Тестовый модуль 4.1.611-x32
Домашняя страница http://www.aida64.com/
Тип отчёта Быстрый отчёт [ TRIAL VERSION ]
Компьютер АНДРЕЙ-ПК
Генератор Андрей
Операционная система Microsoft Windows Vista Home Basic 6.0.6002.18881 (Vista RTM)
Дата 2014-02-21
Время 22:12
--------[ Чипсет ]------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ Северный мост: Intel Bearlake G31 ]
Свойства северного моста:
Северный мост Intel Bearlake G31
Платформа Intel Salt Creek
Поддерживаемые скорости FSB FSB800, FSB1066, FSB1333
Поддерживаемые типы памяти DDR2-667, DDR2-800 SDRAM
Максимальный объём памяти 4 ГБ
Версия / Stepping 02 / A2
Тип корпуса 1226 Pin FC-BGA
Размеры корпуса 34 mm x 34 mm
Технологический процесс 90 nm
Напряжение питания ядра 1.25 V
TDP 17 W
In-Order Queue Depth 12
Контроллер памяти:
Тип Dual Channel (128 бит)
Активный режим Dual Channel (128 бит)
Тайминги памяти:
CAS Latency (CL) 5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 5T
RAS Precharge (tRP) 5T
RAS Active Time (tRAS) 15T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 44T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 3T
Write Recovery Time (tWR) 5T
Read To Read Delay (tRTR) Same Rank: 4T, Different Rank: 6T
Read To Write Delay (tRTW) 8T
Write To Read Delay (tWTR) 3T, Same Rank: 11T, Different Rank: 5T
Write To Write Delay (tWTW) Same Rank: 4T, Different Rank: 6T
Read To Precharge Delay (tRTP) 3T
Write To Precharge Delay (tWTP) 13T
Precharge To Precharge Delay (tPTP) 1T
Four Activate Window Delay (tFAW) 12T
Write CAS Latency (tWCL) 4T
Write RAS To CAS Delay (tRCDW) 5T
CKE Min. Pulse Width (tCKE) Low Phase: 3T, High Phase: 3T
Refresh Period (tREF) 2600T
DRAM Read ODT 3T
DRAM Write ODT 6T
MCH Read ODT 8T
Performance Level 6
Read Delay Phase Adjust +13T
DIMM1 Clock Fine Delay 14T
DIMM2 Clock Fine Delay 5T
DIMM3 Clock Fine Delay 13T
DIMM4 Clock Fine Delay 4T
Burst Length (BL) 8
Коррекция ошибок:
ECC Не поддерживается
ChipKill ECC Не поддерживается
RAID Не поддерживается
ECC Scrubbing Не поддерживается
Разъёмы памяти:
Разъём DRAM #1 2 ГБ (DDR2 SDRAM)
Разъём DRAM #2 1 ГБ (DDR2 SDRAM)
Встроенный графический контроллер:
Тип графического контроллера Intel GMA 3100
Статус графического контроллера Запрещено
Контроллер PCI Express:
PCI-E 1.0 x16 port #2 Используется @ x16 (Zotac GeForce GTX 260 Video Adapter)
Производитель чипсета:
Фирма Intel Corporation
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Kingston (2 ГБ DDR2-800 DDR2 SDRAM) ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Kingston
Серийный номер Нет
Размер модуля 2 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-800 (400 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 400 МГц 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти:
Analysis Probe Нет
FET Switch External Запрещено
Weak Driver Поддерживается
Производитель модуля памяти:
Фирма Kingston Technology Corporation
Информация о продукте http://www.kingston.com/products/default.asp
[ DIMM3: [ TRIAL VERSION ] ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля [ TRIAL VERSION ]
Серийный номер 15A15B19h (425435413)
Дата выпуска Неделя 31 / 2007
Размер модуля 1 ГБ (2 ranks, 4 banks)
Тип модуля [ TRIAL VERSION ]
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-667 (333 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 МГц 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти:
Analysis Probe Нет
FET Switch External Запрещено
Weak Driver Поддерживается
Производитель модуля памяти:
Фирма Qimonda AG
Информация о продукте http://www.qimonda.com/computing-dram
[/more] [/more]
Хочу увеличить память с 2Гб до 4Гб, стояли 2 планки по 1ГБ 667МГц, купил 2 планки кингстоун по 2Гб 800МГц, в случае установки обеих планок по 2Гб комп вообще не запускается, если одна старая и одна новая то все норм грузится, работает и определяет правильный объём памяти. В чем может быть причина?
PS Все доступные настройки БИОС уже излазил.
PPS Техническая информация:
--------[ AIDA64 Extreme ]----------------------------------------------------------------------------------------------
Версия AIDA64 v4.20.2800/ru
Тестовый модуль 4.1.611-x32
Домашняя страница http://www.aida64.com/
Тип отчёта Быстрый отчёт [ TRIAL VERSION ]
Компьютер АНДРЕЙ-ПК
Генератор Андрей
Операционная система Microsoft Windows Vista Home Basic 6.0.6002.18881 (Vista RTM)
Дата 2014-02-21
Время 22:12
--------[ Чипсет ]------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ Северный мост: Intel Bearlake G31 ]
Свойства северного моста:
Северный мост Intel Bearlake G31
Платформа Intel Salt Creek
Поддерживаемые скорости FSB FSB800, FSB1066, FSB1333
Поддерживаемые типы памяти DDR2-667, DDR2-800 SDRAM
Максимальный объём памяти 4 ГБ
Версия / Stepping 02 / A2
Тип корпуса 1226 Pin FC-BGA
Размеры корпуса 34 mm x 34 mm
Технологический процесс 90 nm
Напряжение питания ядра 1.25 V
TDP 17 W
In-Order Queue Depth 12
Контроллер памяти:
Тип Dual Channel (128 бит)
Активный режим Dual Channel (128 бит)
Тайминги памяти:
CAS Latency (CL) 5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 5T
RAS Precharge (tRP) 5T
RAS Active Time (tRAS) 15T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 44T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 3T
Write Recovery Time (tWR) 5T
Read To Read Delay (tRTR) Same Rank: 4T, Different Rank: 6T
Read To Write Delay (tRTW) 8T
Write To Read Delay (tWTR) 3T, Same Rank: 11T, Different Rank: 5T
Write To Write Delay (tWTW) Same Rank: 4T, Different Rank: 6T
Read To Precharge Delay (tRTP) 3T
Write To Precharge Delay (tWTP) 13T
Precharge To Precharge Delay (tPTP) 1T
Four Activate Window Delay (tFAW) 12T
Write CAS Latency (tWCL) 4T
Write RAS To CAS Delay (tRCDW) 5T
CKE Min. Pulse Width (tCKE) Low Phase: 3T, High Phase: 3T
Refresh Period (tREF) 2600T
DRAM Read ODT 3T
DRAM Write ODT 6T
MCH Read ODT 8T
Performance Level 6
Read Delay Phase Adjust +13T
DIMM1 Clock Fine Delay 14T
DIMM2 Clock Fine Delay 5T
DIMM3 Clock Fine Delay 13T
DIMM4 Clock Fine Delay 4T
Burst Length (BL) 8
Коррекция ошибок:
ECC Не поддерживается
ChipKill ECC Не поддерживается
RAID Не поддерживается
ECC Scrubbing Не поддерживается
Разъёмы памяти:
Разъём DRAM #1 2 ГБ (DDR2 SDRAM)
Разъём DRAM #2 1 ГБ (DDR2 SDRAM)
Встроенный графический контроллер:
Тип графического контроллера Intel GMA 3100
Статус графического контроллера Запрещено
Контроллер PCI Express:
PCI-E 1.0 x16 port #2 Используется @ x16 (Zotac GeForce GTX 260 Video Adapter)
Производитель чипсета:
Фирма Intel Corporation
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Kingston (2 ГБ DDR2-800 DDR2 SDRAM) ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Kingston
Серийный номер Нет
Размер модуля 2 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-800 (400 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 400 МГц 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти:
Analysis Probe Нет
FET Switch External Запрещено
Weak Driver Поддерживается
Производитель модуля памяти:
Фирма Kingston Technology Corporation
Информация о продукте http://www.kingston.com/products/default.asp
[ DIMM3: [ TRIAL VERSION ] ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля [ TRIAL VERSION ]
Серийный номер 15A15B19h (425435413)
Дата выпуска Неделя 31 / 2007
Размер модуля 1 ГБ (2 ranks, 4 banks)
Тип модуля [ TRIAL VERSION ]
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-667 (333 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 МГц 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти:
Analysis Probe Нет
FET Switch External Запрещено
Weak Driver Поддерживается
Производитель модуля памяти:
Фирма Qimonda AG
Информация о продукте http://www.qimonda.com/computing-dram
[/more] [/more]