Компания Smart Modular Technologies сообщил о расширении линейки модулей DDR2 SDRAM 244-контактными Mini-DIMM, которые предлагаются моделями плотностью 256, 512 Мб и 1 Гб. Модули размером 1,18x3,23 дюйма предназначены для использования в маршрутизаторах, коммутаторах, телекоммуникационных системах, blade-серверах, принтерах и мультимедийном оборудовании. Как registered, так и нерегистровые версии модулей доступны в вариантах PC2-3200 и PC2-4300. 1 Гб небуферизованные модули с ECC и registered Mini-DIMM выполнены на компонентах в BGA-корпусах (stacked 512 Мбит (64x8) компонент
Компания Matsushita Electric Industrial подписала с Rambus соглашение об интегрировании интерфейса DDR2 SDRAM с наборы микросхем базовой логики для цифровых телевизоров нового поколения, кроме того, японская компания приобрела лицензию на интерфейс XDR . для увеличения пропускной способности памяти. Предполагается, что использование Matshushita обоих интерфейсов позволит начать выпуск ряда наименований бытовой электроники в различных ценовых диапазонах. Стоит отметить, что Rambus . единственная компания, предлагающая интерфейсы контроллера DDR SDRAM, поддерживающие опциональный ?высокопроизводительный? режим работы, поддерживающий XDR DRAM, что дает 2-8 кратное увеличение пропускной способности системы памяти. Интерфейсы Rambus DDR и XDR выполнены в разных вариантах . в зависимости от использованной CMOS-технологии . от 0,25 мкм до 65 нм.; в настоящее время доступна версия, выполненная с использованием норм 0,13-мкм техпро цесса. Интерфейсы контроллеров памяти Rambus для бытовых систем и графических решений доступны в настоящее время, интерфейсы для системной памяти будут предложены в ближайшее время.
Сейчас на рынке памяти DDR2 ситуация складывается не особо обнадеживающе – частоты памяти не превышают частоты обычной DDR, DDR2 400 и DDR2 533 ничем кроме цены не отличаются от памяти предыдущего поколения. Если отбросить необходимость приобретения такой памяти для использования с последними материнскими платами Intel на логике "Alderwood", то особого смысла раскошеливаться и нет. Понятно, что такой расклад не радует ни покупателей, ни производителей памяти. Однако будущее памяти DDR2 выглядит более радужно, частота в 667 МГц уже пала перед усилиями инженеров Corsair, фирма Kingston, хотя и не делает громких анонсов, но, видимо, так же достигла таких высот. Говорится, что достижение 800 МГц – всего лишь дело времени, как ни странно дальнейшие планы зависят от … Intel. Сейчас основной генератор спроса – это именно этот производитель и от его решений зависит будущее целого направления индустрии. Грань целесообразности проходит на частоте 666 МГц, так как чтобы нам ни говорили о улучшенных таймингах DDR 2 против DDR 1, особого роста производительности заметно не будет. До массового появления памяти с такой частотой, впрочем о массовости мы узнаем и по снижению цен, редкий человек позволит себе разорится на новый Intel Pentium 4, либо выберет чипсет Grantsdale 915P, прекрасно работающий с более дешевой памятью DDR1.
Думаю речь все же о 72 pins simm. Мег 40 на четверках видел, но не больше. В принципе, у 486 проца адресуемое пространство 4 гига, но у мамки свой потолок - рискну предположить, что 64 мега. Другой вопрос - нафига корове черкасское седло?
Компания Micron Technology сообщила о выпуске и начале поставок образцов 128 Мбит микросхем CellularRAM с пакетным режимом работы . одних из первых компонентов PSRAM такой плотности. Новые микросхемы, как отмечается в пресс-релизе компании, выполнены с использованием архитектуры 6F2. Решения предназначены для использования в мобильных коммуникационных устройствах; архитектура ячейки позволяет снизить энергопотребление микросхем как в пассивном режиме, так и в режиме обращения. Среди прочих особенностей компонентов отмечены возможность чтения/записи 4,8,16, 32 словами или пакетами, улучшенная совместимость с протоколом пакетного режима работы флэш-памяти, переменная величина задержек, позволяющая как сократить продолжительность задержек и повысить пропускную способность микросхем. Кроме того, спецификация CellularRAM предусматривает использование компонентов в MCP-решениях без необходимости переразводк и подложек.По оценкам менеджера Micron по маркетингу DRAM, исходя из темпов роста производства CellularRAM, можно сделать вывод, что PSRAM может в скором времени заменить обычную асинхронную SRAM в секторе мобильных телефонов.
Компания Samsung Electronics, как сообщают дистрибьюторы на Тайване, планирует снизить цены 64 Мбит (4x16) микросхем SDRAM до 2 долларов в начале августа. Такого уровня цен на местном рынке не бывало с октября прошлого года и, что больше всего настораживает тайваньских производителей, эта цена очень близка к стоимости производства этих компонентов. Однако, даже при 2-долларовой цене у Samsung останутся преимущества перед конкурентами с Тайваня, поскольку корейский производитель использует более современные технологии, следовательно, стоимость производства 64 Мбит микросхем для Samsung ниже. Средние спотовые цены 64 Мбит (4x16) микросхем SDR SDRAM (PC-133 и PC-166) составляют около 2,48 и 2,57 доллара соответственно . по оценкам специалистов DRAMeXchange, это . самый низкий уровень за последние 8 месяцев
Как сообщает источник со ссылкой на iSuppli, Hynix, против которой ополчилось немало стран, не просто остается на плаву, а даже обошла по объемам продаж Micron и теперь занимает второе место в мире по продажам DRAM. Во всяком случае, утверждается, что это следует из предварительного отчета iSuppli.Это второе крупное достижение южнокорейской компании, вернувшей себе третье место в последнем квартале 2003 года (до Hynix на третьем месте по продажам DRAM была Infineon). Но, скорее всего, на этом продвижение Hynix к вершинам мирового рынка пока затормозится . догнать такого гиганта на рынке памяти, как занимающая ведущее место Samsung, кстати, тоже корейского, будет очень не просто. К тому же, Hynix ожидают новые разбирательства, и это может отрицательно повлиять на ее рыночную долю в будущем.За прошедший второй квартал доход Hynix вырос на 23%, в то время как аналогичный показатель Micron вырос всего на 2%. Несмотря на введенные против нее санкции, рыночная доля Hynix составила 16,9%, Samsung . 27,7%, а Micron . 15,3%.Отметим, что операционная норма прибыли Hynix является достаточно высокой . около 40% (самый высокий показатель нормы прибыли у Samsung), что было достигнуто благодаря предпринятым компанией шагам по снижению себестоимости производства. Средневзвешенная цена при усреднении по всему модельному ряду продуктов Hynix, включающий в себя чипы видеопамяти и SDRAM, составляет около 6,2 долларов.Заметим также, что снижение рыночной доли Micron и рост доли Hynix, скорее всего, обусловлены разной стратегией развития бизнеса. Hynix сфокусировалась на DRAM, в то время как Micron, так же как и Infineon, постепенно отходят от DRAM, предпочитая производить больше КМОП-сенсоров и логических микросхем.Наконец, японская Elpida Memory продемонстрировала рост рыночной доли в 76% и сейчас находится на пятом месте с 6,4% рынка. Резкий рост рыночной доли аналитики связывают с началом массового выпуска на 300-мм пластинах.Вот так выглядит рас пределение мест среди ведущих поставщиков памяти во втором квартале 2004 года:
Вроде предпочтительнее, когда частота памяти совпадает с частотой системной шины (fsb)
Компания Elpida Memory сообщила о выпуске 512 Мбит микросхем Mobile RAM, предназначенных для использования в системах в мобильных приложениях, требующих низкого энергопотребления компонентов при высокой плотности. Микросхемы выполнены из двух 256 Мбит компонентов (0,11-мкм техпроцесс, организация x16) Mobile RAM в MCP-корпусах. Организация EDL5132CBMA . 4M word x 32-bit x 4 bank, скорость передачи составляет 400 Мб/с. Решения предлагаются в 90-контактных FBGA-корпусах (9x13 мм); напряжение питания компонентов . 1,8 В. Одной из отличительных особенностей микросхем является технология автоматического регулирования периода обновления в зависимости от температуры (термодатчик встроен в кристалл), Auto Temperature Compensated Self-Refresh (TCSR).
Компания Winbond сообщила о планах сокращения в третьем квартале текущего года производства pseudo SRAM (PSRAM), а вот производство системной памяти за этот же период может увеличиться. 46% мощностей 8-дюймовых фабрик будет отведено под выпуск PSRAM (это на 4% меньше, чем во втором квартале), в то время как количество мощностей, выделенных под выпуск системной DRAM, увеличится с 5 до 14%. Основной причиной снижения производства PSRAM компания называет перегруппировку запасов заказчиками. Средняя цена продаж PSRAM в этом квартале может снизиться на 10%. Такие заявления крайне обеспокоили инвесторов, поскольку ранее компания планировала придерживаться прямо противоположной политики . дабы снизить свою зависимость от колебаний цен на рынке DRAM. Во втором квартале доля PSRAM и специализированной памяти компании составила 62% от общего объема продаж. Судя по всему, увеличение выпуска системной DRAM является результатом заключенного с Infineon соглашения с передачей технологий и резервированием производственных мощностей. Выпуск обычной DRAM составит в этом квартале 4 тыс. 8-дюймовых пластин ежемесячно, а в 4 квартале увеличится до 10 тыс. пластин.
Компания Infineon Technologies сообщила об успешном завершении тестирования микросхем буферной памяти (advanced memory buffer, AMB), предназначенных для использования на новых поколениях серверных модулей на DDR2 SDRAM (FB-DIMM). Инженерные образцы для FB-DIMM с DDR2 DRAM будут представлены в 4 квартале 2004 года, на рынке решения появятся во второй половине 2005 года. Появление технологий высокоскоростной памяти и грядущий переход от DDR2 к DDR3, вкупе с увеличивающимися объемами данных, хранимыми и обрабатываемыми серверами, приводит к необходимости разработки новой архитектуры памяти для серверов. Модули, используемые сегодня, имеют параллельный доступ к шине (архитектура multi-drop-bus), в случае FB-DIMM используется канальная архитектура, обеспечивающая туннельное соединение между контроллером памяти и первым модулем на ка нале и между последующими модулями, находящимися с ним на одном канале. Такая архитектура делает загрузку шины независимой от скорости ввода/вывода DRAM и позволяет увеличить емкость памяти в системе. На микросхему AMB, располагающуюся на каждом FB-DIMM, возлагаются задачи по сбору и распределению данных от/к микросхем(ам) модуля, буферизации данных и переправлению (или получению) их следующему модулю или контроллеру. Стандарт JEDEC определяет для DDR2 800 максимальную скорость данных на контакт 4,8 Гбит/с; AMB Infineon в настоящее время уже обеспечивает скорость передачи 6 Гбит/с. Стандарт FB-DIMM предусматривает шестикратное увеличение мультиплексирования данных . для снижения физической ширины канала памяти и минимизации задержек при передаче.
Компания OCZ Technology решила на собственном примере показать энтузиастам возможности своей памяти нового поколения, DDR2 SDRAM, и на экспериментальном образце платы DFI на чипсете i915 преодолела 766 МГц барьер, заставив модули PC4300 работать с таймингами 4-5-5-15 и достигнув тактовой частоты 793 МГц. Как отметил директор по технологическому развитию компании, DDR2 SDRAM DIMM, работающие с тактовой частотой 766 МГц означают очередной шаг компании к разработке и выпуску DDR2 800 SDRAM DIMM. В настоящее время линейка модулей DDR2 SDRAM компании представлена решениями DDR2 PC2-4200 (DDR2 533 SDRAM) Platinum, серия Enhanced Bandwidth, DDR2 PC2-5400 (DDR2 667), серия Performance, DDR2 PC-4200 (DDR2 533 SDRAM DIMM), серия Value . во всех ценовых диапазонах.
Компания Kingston Technology сообщила о выпуске модулей памяти HyperX DDR2 533-МГц (PC2-4300) и 675-МГц (PC2-5400). Поставки DIMM уже начаты, правда, пока в ограниченном количестве. Линейка модулей представлена решениями емкостью до 1 Гб и поддерживается всеми последними чипсетами (реальная частота работы модулей зависит от конкретной платы). Kingston HyperX PC2-4300, как отмечается в пресс-релизе, поддерживают работу с таймингами 3-3-3-10, PC2-5400 . с таймингами 4-4-4-10. Прошивка таймингов в SPD соответствует требованиям JEDEC . 4-4-4-12
Лучше доплати немного, и поменяй мамку на абит или асус.
Страницы: 12345678910111213141516171819202122232425262728293031323334353637383940414243444546474849505152535455565758596061626364656667
Предыдущая тема: Выбор и подбор железа для компа #4