К сожалению, сейчас фотографии нет под рукой. Но, модули стоят SO-DIMM. И я хочу купить такие http://www.ebay.de/itm/361446487159?_trksid=p2060353.m1438.l2649&ssPageName=STRK%3AMEBIDX%3AIT или такие http://www.ebay.de/itm/191754788719?_trksid=p2060353.m1438.l2649&ssPageName=STRK%3AMEBIDX%3AIT У первых чипы с двух сторон, а у вторых вроде с одной стороны.
» Выбор оперативной памяти (#3)
[more] [more= ][/more]
sunxuj
Берите модули с чипами SAMSUNG/SEC (лучшее качество, указанные в документации временные параметры всегда имеют запас 15% - 20% на старение, повышение температур и снижение напряжения питания микросхем), Kingston/Kingmax или Micron (эти микросхемы часто стоят на модулях памяти с наклейками и партномерами HP, логотип Micron/MT) с ними я за тридцать с лишним лет почти не встречал проблем, ну разве что по мелочи подстроить. Далее по качеству/сложности идут применения микросхемы производства Infinion, Mosel Vitelic Corporation (логотип незамкнутый круг в левом верхнем углу которого квадрат из девяти точек) и Winbond - эти три производителя равноценны их изделия по качеству не уступают Samsung , Hynday/Hinix - чуток хуже по совместимости, NCP - дёшево, довольно добротно, но не всюду работает, заявленные параметры не имеют рекомендуемого 15% - 20% запаса на старение микросхем и отклонение напряжений от номинала, ну а хуже всех Silicon Power - это чисто контрактное изготовление, на её модулях одной и той же марки могут стоять чипы Infinion, NCP, Hinix или просто no-name. Про A-DATA ничего кроме того, что это обычно добротный сборщик сказать нечего, но сами они микросхемы не выпускают, Ну и до кучи TwinMOS и иже с ними - попадаются редко, потому делать обобщения по отдельным экземплярам нельзя.
Ставить в одной связке модули на микросхемах разных производителей можно, но придётся тщательно их подбирать по стабильности комплекса и отсутствию ошибок в работе ОЗУ. [/more]
sunxuj
Берите модули с чипами SAMSUNG/SEC (лучшее качество, указанные в документации временные параметры всегда имеют запас 15% - 20% на старение, повышение температур и снижение напряжения питания микросхем), Kingston/Kingmax или Micron (эти микросхемы часто стоят на модулях памяти с наклейками и партномерами HP, логотип Micron/MT) с ними я за тридцать с лишним лет почти не встречал проблем, ну разве что по мелочи подстроить. Далее по качеству/сложности идут применения микросхемы производства Infinion, Mosel Vitelic Corporation (логотип незамкнутый круг в левом верхнем углу которого квадрат из девяти точек) и Winbond - эти три производителя равноценны их изделия по качеству не уступают Samsung , Hynday/Hinix - чуток хуже по совместимости, NCP - дёшево, довольно добротно, но не всюду работает, заявленные параметры не имеют рекомендуемого 15% - 20% запаса на старение микросхем и отклонение напряжений от номинала, ну а хуже всех Silicon Power - это чисто контрактное изготовление, на её модулях одной и той же марки могут стоять чипы Infinion, NCP, Hinix или просто no-name. Про A-DATA ничего кроме того, что это обычно добротный сборщик сказать нечего, но сами они микросхемы не выпускают, Ну и до кучи TwinMOS и иже с ними - попадаются редко, потому делать обобщения по отдельным экземплярам нельзя.
Ставить в одной связке модули на микросхемах разных производителей можно, но придётся тщательно их подбирать по стабильности комплекса и отсутствию ошибок в работе ОЗУ. [/more]
А на двухсторонние или односторонние, внимание можно не обращать ?
sunxuj
Цитата:
Всё просто -- поддерживаемая память в вашем случае определяется не матплатой, а установленным процессором.
Модель вашего процессора назовите, тогда можно будет говорить более предметно.
Цитата:
Если бы я что- нибудь смыслил в этом...
Всё просто -- поддерживаемая память в вашем случае определяется не матплатой, а установленным процессором.
Модель вашего процессора назовите, тогда можно будет говорить более предметно.
[more] [more= ][/more]
sunxuj
В принципе для современных ЦП Intel они примерно равнозначны, но с одной стороны лучше иметь меньшую паразитную входную ёмкость (односторонние модули), с другой у двухсторонних меньшие эффективные внутренние задержки т.к. параллельно работает больше матриц (любой модуль памяти это трёхмерная структура из нескольких независимых матриц памяти адресуемых по строкам и столбцам, обычно выбираемых старшими разрядами адреса столбца - это связано с довольно большим временем цикла отдельной динамической ячейки памяти (порядка 90 - 150 нс) что ограничивает быстродействие динамического ОЗУ, а при распараллеливании запросов каждая ячейка хранящая информацию в виде заряда на входной ёмкости затвора полевого транзистора работает со своим временем цикла и общее быстродействие массива динамической памяти приближается к быстродействию статического ОЗУ построенного на триггерах (минимум два логических элемента (ЛЭ) 2И-НЕ|2ИЛИ-НЕ на RS-триггер, а в ячейке их используется несколько).
Быстродействие статического ОЗУ (SRAM) определяется временем переключения ЛЭ (для кремния 0,07 - 0,1 нс, быстрее только арсенид галлия (GaAs), а там напряжение питание и логические уровни ниже нуля и вдобавок инверсные, так что нужен преобразователь уровней и инвертор для согласования логики что усложняет и удорожает схему, зато быстродействие ячейки для промышленных GaAs микросхем (~ 1990-й год) Gigabit Logic 12G014 256Kx4 GaAs SRAM составляет 1,85 нс. Немного больше чем 100 - 200 нс для DRAM.
Да и регенерация заряда в ячейке статическому ОЗУ не нужна - у триггера как элемента памяти есть только два устойчивых состояния 1 (ДА) и 0 (НЕТ) которые он сохраняет после снятия управляющих сигналов до выключения питания схемы, а в DRAM нужно периодически регенерировать заряд ячейки или она потеряет информацию.
Потому управление SRAM проще - адресная шина, сигналы ЧТЕНИЕ, ЗАПИСЬ, синхронизация, шина данных, возможна реализация линии RESET, а в DRAM ещё нужен интервальный счётчик считающий время регенерации и схема управления ей, отдельная шина регенерации и плюс к тому более сложная схема чтения-записи синхронизируемая с блоком регенерации.
Правда в DRAM один транзистор на ячейку, а в SRAM их минимум два (RS-триггер, TTL/ p-/n-MOS или I2L схемотехника, для CMOS/ECL минимум четыре), а часто и несколько десятков. И каждый транзистор потребляет мощность порядка 100 - 200 нВт, так что вот вам и причина нагрева микросхемы. [/more]
sunxuj
В принципе для современных ЦП Intel они примерно равнозначны, но с одной стороны лучше иметь меньшую паразитную входную ёмкость (односторонние модули), с другой у двухсторонних меньшие эффективные внутренние задержки т.к. параллельно работает больше матриц (любой модуль памяти это трёхмерная структура из нескольких независимых матриц памяти адресуемых по строкам и столбцам, обычно выбираемых старшими разрядами адреса столбца - это связано с довольно большим временем цикла отдельной динамической ячейки памяти (порядка 90 - 150 нс) что ограничивает быстродействие динамического ОЗУ, а при распараллеливании запросов каждая ячейка хранящая информацию в виде заряда на входной ёмкости затвора полевого транзистора работает со своим временем цикла и общее быстродействие массива динамической памяти приближается к быстродействию статического ОЗУ построенного на триггерах (минимум два логических элемента (ЛЭ) 2И-НЕ|2ИЛИ-НЕ на RS-триггер, а в ячейке их используется несколько).
Быстродействие статического ОЗУ (SRAM) определяется временем переключения ЛЭ (для кремния 0,07 - 0,1 нс, быстрее только арсенид галлия (GaAs), а там напряжение питание и логические уровни ниже нуля и вдобавок инверсные, так что нужен преобразователь уровней и инвертор для согласования логики что усложняет и удорожает схему, зато быстродействие ячейки для промышленных GaAs микросхем (~ 1990-й год) Gigabit Logic 12G014 256Kx4 GaAs SRAM составляет 1,85 нс. Немного больше чем 100 - 200 нс для DRAM.
Да и регенерация заряда в ячейке статическому ОЗУ не нужна - у триггера как элемента памяти есть только два устойчивых состояния 1 (ДА) и 0 (НЕТ) которые он сохраняет после снятия управляющих сигналов до выключения питания схемы, а в DRAM нужно периодически регенерировать заряд ячейки или она потеряет информацию.
Потому управление SRAM проще - адресная шина, сигналы ЧТЕНИЕ, ЗАПИСЬ, синхронизация, шина данных, возможна реализация линии RESET, а в DRAM ещё нужен интервальный счётчик считающий время регенерации и схема управления ей, отдельная шина регенерации и плюс к тому более сложная схема чтения-записи синхронизируемая с блоком регенерации.
Правда в DRAM один транзистор на ячейку, а в SRAM их минимум два (RS-триггер, TTL/ p-/n-MOS или I2L схемотехника, для CMOS/ECL минимум четыре), а часто и несколько десятков. И каждый транзистор потребляет мощность порядка 100 - 200 нВт, так что вот вам и причина нагрева микросхемы. [/more]
[more]
Цитата:
Intel Core i7 820
В документации на мою маму есть такое, по применяемой памяти
Maximum 8 GB using 2-Gb technology and
stacked SO-DIMMs
Maximum 4 GB using 2-Gb technology and non-
stacked SO-DIMMs
Supports DDR3 Frequency of up to
1066 MT/s.
3.7.1.6 Memory Support
The development kit supports a dual channel DRR3 interface. There are two DDR3
SODIMM sockets (J4V1 and J4V2) on the motherboard. The memory controller
supports four ranks of memory up to 1066MT/s. The maximum amount of memory
supported is 8GB of DDR3 memory by utilizing 2Gb technology in stacked SO-DIMMs
and 4GB of DDR3 memory by utilizing 2Gb technology in non-stacked SO-DIMMs.
Minimum capacity supported is 512 MB. On-board thermal sensor is provided for the
SODIMMs. There is no ECC support on this system.
На что нужно обратить внимание э, при выборе модулей ?
Добавлено:
А почему мои сообщения по теги закрываются ? Я их не ставил... [/more]
Цитата:
Модель вашего процессора назовите, тогда можно будет говорить более предметно.
Intel Core i7 820
В документации на мою маму есть такое, по применяемой памяти
Maximum 8 GB using 2-Gb technology and
stacked SO-DIMMs
Maximum 4 GB using 2-Gb technology and non-
stacked SO-DIMMs
Supports DDR3 Frequency of up to
1066 MT/s.
3.7.1.6 Memory Support
The development kit supports a dual channel DRR3 interface. There are two DDR3
SODIMM sockets (J4V1 and J4V2) on the motherboard. The memory controller
supports four ranks of memory up to 1066MT/s. The maximum amount of memory
supported is 8GB of DDR3 memory by utilizing 2Gb technology in stacked SO-DIMMs
and 4GB of DDR3 memory by utilizing 2Gb technology in non-stacked SO-DIMMs.
Minimum capacity supported is 512 MB. On-board thermal sensor is provided for the
SODIMMs. There is no ECC support on this system.
На что нужно обратить внимание э, при выборе модулей ?
Добавлено:
А почему мои сообщения по теги закрываются ? Я их не ставил... [/more]
sunxuj
Вот теперь ясно.
Читайте:
http://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/datasheets/core-i7-900-mobile-ee-and-mobile-processor-series-vol-1-datasheet.pdf
Стр. 12.
Вам нужны 1,5-вольтовые не-ЕСС небуферизованные модули SODIMM с объемом банка до 2Гб.
Т.е. планки памяти должны быть либо объемом 2Гб на 8 микросхемах (по 4 чипа в 1 ряд с каждой стороны, это "non-stacked"), либо 4 Гб на 16 чипах (по 2 ряда чипов с каждой стороны, всего 16 штук, это называется "stacked").
А 8-чиповые 4-гигабайтные работать не будут.
Вот теперь ясно.
Читайте:
http://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/datasheets/core-i7-900-mobile-ee-and-mobile-processor-series-vol-1-datasheet.pdf
Стр. 12.
Вам нужны 1,5-вольтовые не-ЕСС небуферизованные модули SODIMM с объемом банка до 2Гб.
Т.е. планки памяти должны быть либо объемом 2Гб на 8 микросхемах (по 4 чипа в 1 ряд с каждой стороны, это "non-stacked"), либо 4 Гб на 16 чипах (по 2 ряда чипов с каждой стороны, всего 16 штук, это называется "stacked").
А 8-чиповые 4-гигабайтные работать не будут.
Значит, эти модули, про которые спрашивал, не подходят по питанию ?
sunxuj
По спецификации ваш ЦП работает только с 1,5В небуферизованными DDR3-1066/1333 8/16 чиповыми SoDIMM модулями объёмом до 4 Гб на модуль (с организацией 2х8х256М). С модулями собранными на микросхемах ёмкостью 512М (1х8х512М) процессор может не запустится.
А тэг море система у вас сама уберёт когда время придёт. Минимум 40 дней с момента регистрации - зашита от спамеров.
По спецификации ваш ЦП работает только с 1,5В небуферизованными DDR3-1066/1333 8/16 чиповыми SoDIMM модулями объёмом до 4 Гб на модуль (с организацией 2х8х256М). С модулями собранными на микросхемах ёмкостью 512М (1х8х512М) процессор может не запустится.
А тэг море система у вас сама уберёт когда время придёт. Минимум 40 дней с момента регистрации - зашита от спамеров.
Цитата:
Минимум 40 дней с момента регистрации30
127
Короче система сама решит когда.
Короче система сама решит когда.
Что- то у меня сомнения появились... Инфу я брал с утилиты CPU-ID Сейчас посмотрел процессор I7 820QM имеет разъём PGA988, а утилита выдаёт 989rPGA. Это нормально ?
sunxuj
Цитата:
Да. rPGA989 -- название универсального разъема, позволяющего устанавливать процессоры в исполнении PGA988A (он же "Socket G1") и PGA988B ("Socket G2").
Цитата:
Это нормально ?
Да. rPGA989 -- название универсального разъема, позволяющего устанавливать процессоры в исполнении PGA988A (он же "Socket G1") и PGA988B ("Socket G2").
sunxuj
Идём на Intel, смотрим Core-i7-820QM APK:
Цитата:
А в CPU-Z опечатка в ресурсах- в даташите, т1, стр.16, читаем:
Цитата:
Идём на Intel, смотрим Core-i7-820QM APK:
Цитата:
Поддерживаемые разъемы - PGA988
А в CPU-Z опечатка в ресурсах- в даташите, т1, стр.16, читаем:
Цитата:
1.6 Package
The Intel Core i7-900 mobile processor extreme edition series, Intel Core i7-800
and i7-700 mobile processor series are available on a 37.5 x 37.5 mm rPGA
package (rPGA988A)
Помогите подобрать память объемом 4 гб. для компьютера процессор E5300 2.60GHz, плата Asus P5QL PRO. Покупать буду здесь.
niko7
Тип ОЗУ - DDR2, берём пару модулей Kingston KVR800D2N6/2G, ставим, думать о выставлении частот не придётся - чипсет запустит модули на 800 МГц, но в BIOS выставляем тайминги 6-6-6-18 Cr=2 PF=7 руками поскольку все платы ASUS имеют общую особенность - для DDR2-800 выставляют тайминги как для DDR2-667 что приводит к ошибкам ОЗУ. Данная ошибка алгоритма чтения SPD присутствует на всех платах данного производителя начиная с 1993-года.
Тип ОЗУ - DDR2, берём пару модулей Kingston KVR800D2N6/2G, ставим, думать о выставлении частот не придётся - чипсет запустит модули на 800 МГц, но в BIOS выставляем тайминги 6-6-6-18 Cr=2 PF=7 руками поскольку все платы ASUS имеют общую особенность - для DDR2-800 выставляют тайминги как для DDR2-667 что приводит к ошибкам ОЗУ. Данная ошибка алгоритма чтения SPD присутствует на всех платах данного производителя начиная с 1993-года.
Добрый день.
Возникла необходимость добавить оперативной памяти,
сейчас установлена Hynix DIMM DDR3 PC3-12800U DDR3-1600
Плата Lenovo Mahobay
Какая память лучше (имею ввиду марка, модель)?
Память с какими характеристиками лучше всего поставить?
И еще вопрос - сколько памяти макс. поддерживает материнская плата Lenovo Mahobay?
Возникла необходимость добавить оперативной памяти,
сейчас установлена Hynix DIMM DDR3 PC3-12800U DDR3-1600
Плата Lenovo Mahobay
Какая память лучше (имею ввиду марка, модель)?
Память с какими характеристиками лучше всего поставить?
И еще вопрос - сколько памяти макс. поддерживает материнская плата Lenovo Mahobay?
Demosfen1985
Ставьте такую же (DDR3 PC3-12800), фирмы Hynix/Samsung/Crucial. Что за девайс - ноут или моноблок? Модель приведите или конфигурацию.
Ставьте такую же (DDR3 PC3-12800), фирмы Hynix/Samsung/Crucial. Что за девайс - ноут или моноблок? Модель приведите или конфигурацию.
Advocatus_Diaboli
Спасибо за рекомендацию.
Не имеет значения что у меня за модель.
Материнская плата Lenovo Mahobay, сколько макс. памяти она поддерживает?
Спасибо за рекомендацию.
Не имеет значения что у меня за модель.
Материнская плата Lenovo Mahobay, сколько макс. памяти она поддерживает?
[more] [more= ][/more]
Demosfen1985
Ваша плата судя по тому, что о ней известно, собрана чипсете Intel H61 под процессоры s1155, и возможности подсистемы ОЗУ определяются ЦП - контроллер на его кристалле. Предел для массовых ЦП Sandy/Ivi Bridge , Xeon E3-12x0 (в т.ч. V2 на Ivi Bridge) - 32 Гб, для серии Extreme Edition - 64 Гб, но я сомневаюсь что вы сможете в s1155 воткнуть LGA2011 камень. Ну, разве ему чуток корпус и лишние ноги подпилите.) А так вопрос один какой у вас ЦП - тип ОЗУ зависит от него, но предположу что у вас обычная DDR3 с питанием 1,5V (с 1.35V памятью чипсет может не запустится). Тогда варианты - 2 х 8 ГБ производства Samsung, Micron, Kingston, Kingmax DDR3-1600. Если ставить более высокочастотную память упрётесь в схемотехнику контроллера памяти в ЦП (т.е. тактироваться она будет на более высокой частоте, да толку не будет). Можно поставить Kingston HyperX серии Beast (высота модуля 30 мм - это обычные по высоте габариты) / Fury / Savage / Predator (у этих модулей высокие радиаторы - 54 мм! смотрите чтобы кулер не задевал).
Берёте память на 1,5 - 1,65 вольта, при необходимости в BIOS включить профиль XMP (его чипсет читает и сам всё ставит как нужно). Модули Beast при работе от 1,5V (по профилю JDEC) дадут минимальные задержки, но сильно это на быстродействии машины по времени решения задач в целом не скажется - примерно ±1,8 - 3,1 секунды на час счёта. Если вам это критично, то решайте.
Я дал вам один из технически обоснованных вариантов решения исходя из данных по надёжности, временным диаграммам и с учётом заводского подбора комплектов на приборах (т.е. если они рабочие, то в кожухе работают), у Samsung, Micron поставки комплектов в основном идут на заводы, а там свой входной контроль. Да и я не думаю что у вас найдётся под руками лаборатория с нужными для подбора модулей приборами, ну и понятно склада для подбора одной или нескольких пар из большой партии заведомо исправных планок по временным параметрам и напряжению питания.
Изделия Corsair не берите ни под каким предлогом - у них очень серьёзные проблемы с совместимостью комплектов с чипсетами - раз, стабильности работы подсистемы памяти если модулей более двух - два, и с модулями других изготовителей - три. Про OCZ и ей подобные марки ничего не скажу - мы на работе от них как чёрт от ладана шарахаемся ибо такие модули в серьёзной аппаратуре == штрафу за срыв контракта. Это хорошо разрекламированный ширпотреб, а любая реклама - в другой департамент. [/more]
Demosfen1985
Ваша плата судя по тому, что о ней известно, собрана чипсете Intel H61 под процессоры s1155, и возможности подсистемы ОЗУ определяются ЦП - контроллер на его кристалле. Предел для массовых ЦП Sandy/Ivi Bridge , Xeon E3-12x0 (в т.ч. V2 на Ivi Bridge) - 32 Гб, для серии Extreme Edition - 64 Гб, но я сомневаюсь что вы сможете в s1155 воткнуть LGA2011 камень. Ну, разве ему чуток корпус и лишние ноги подпилите.
) А так вопрос один какой у вас ЦП - тип ОЗУ зависит от него, но предположу что у вас обычная DDR3 с питанием 1,5V (с 1.35V памятью чипсет может не запустится). Тогда варианты - 2 х 8 ГБ производства Samsung, Micron, Kingston, Kingmax DDR3-1600. Если ставить более высокочастотную память упрётесь в схемотехнику контроллера памяти в ЦП (т.е. тактироваться она будет на более высокой частоте, да толку не будет). Можно поставить Kingston HyperX серии Beast (высота модуля 30 мм - это обычные по высоте габариты) / Fury / Savage / Predator (у этих модулей высокие радиаторы - 54 мм! смотрите чтобы кулер не задевал). Берёте память на 1,5 - 1,65 вольта, при необходимости в BIOS включить профиль XMP (его чипсет читает и сам всё ставит как нужно). Модули Beast при работе от 1,5V (по профилю JDEC) дадут минимальные задержки, но сильно это на быстродействии машины по времени решения задач в целом не скажется - примерно ±1,8 - 3,1 секунды на час счёта. Если вам это критично, то решайте.
Я дал вам один из технически обоснованных вариантов решения исходя из данных по надёжности, временным диаграммам и с учётом заводского подбора комплектов на приборах (т.е. если они рабочие, то в кожухе работают), у Samsung, Micron поставки комплектов в основном идут на заводы, а там свой входной контроль. Да и я не думаю что у вас найдётся под руками лаборатория с нужными для подбора модулей приборами, ну и понятно склада для подбора одной или нескольких пар из большой партии заведомо исправных планок по временным параметрам и напряжению питания.
Изделия Corsair не берите ни под каким предлогом - у них очень серьёзные проблемы с совместимостью комплектов с чипсетами - раз, стабильности работы подсистемы памяти если модулей более двух - два, и с модулями других изготовителей - три. Про OCZ и ей подобные марки ничего не скажу - мы на работе от них как чёрт от ладана шарахаемся ибо такие модули в серьёзной аппаратуре == штрафу за срыв контракта. Это хорошо разрекламированный ширпотреб, а любая реклама - в другой департамент. [/more]
VictorVG2, а у него там, случайно, не содимм?
127
Не знаю, раз молчит - я дал общие направления поиска, далее сам разберётся или уточнит вопрос. Видимо плата стоит в каком-то агрегате типа моноблока, а там иной раз открыть сложно - жди пока люди с работы уйдут или шеф мигом бестолковку скрутит.
Не знаю, раз молчит - я дал общие направления поиска, далее сам разберётся или уточнит вопрос. Видимо плата стоит в каком-то агрегате типа моноблока, а там иной раз открыть сложно - жди пока люди с работы уйдут или шеф мигом бестолковку скрутит.
Спасибо VictorVG2.
))) Прямо докторская диссертация на тему модулей памяти) У меня обычный системный блок.
Я уже сам немного подразобрался - в Aida64 при клике на чипсет пишет "Максимальный объем памяти 16гб". Оно?
))) Прямо докторская диссертация на тему модулей памяти) У меня обычный системный блок.
Я уже сам немного подразобрался - в Aida64 при клике на чипсет пишет "Максимальный объем памяти 16гб". Оно?
Demosfen1985
Этот объём зависит от вашего ЦП - контроллер памяти в нём, а чипсет на деле сегодня это только периферия, но у H61 и BIOS урезан, так что ориентируйтесь на верхний предел 16 Гб DDR3-1600, 2 * 8 Гб и берите пару с заводским побором модулей на напряжение 1,5V - 1,65V - проблем не будет. А знания - я разработчик ЭВМ, посему мне по должности это положено или гнать ... известным веником.
Этот объём зависит от вашего ЦП - контроллер памяти в нём, а чипсет на деле сегодня это только периферия, но у H61 и BIOS урезан, так что ориентируйтесь на верхний предел 16 Гб DDR3-1600, 2 * 8 Гб и берите пару с заводским побором модулей на напряжение 1,5V - 1,65V - проблем не будет. А знания - я разработчик ЭВМ, посему мне по должности это положено или гнать ... известным веником.
VictorVG2
Хм... Core i7-3770
Добавлено:
Kingston ValueRAM DDR3 1600GHz 4Gb (KVR16N11S8/4) - эта пойдет?
Хм... Core i7-3770
Добавлено:
Kingston ValueRAM DDR3 1600GHz 4Gb (KVR16N11S8/4) - эта пойдет?
Demosfen1985
Да, эта пойдёт без проблем. А плату-маму я бы при возможности сменил на ATX - у микроАТХ спецификацией предусмотрено всего два модуля памяти, и ограничение контроллера памяти ЦП - ёмкость каждого модуля <=8 Гб (на 16 чипах по 4Гбит). Вот отсюда и вылезли 16 Гб = 2 модуля по 8 Гб каждый, усё, и только 1.5 - 1,65V модули. С 1,35V ваш ЦП работать не будет.
Добавлено:
Разумнее будет продать старый модуль малой ёмкости (кому-то и он ещё пригодится) и купить пару 2 по 8 Гб - сегодня их цены не кусачие ибо это массовые изделия, а потому заводы вынуждены снижать цену до минимума или затоварятся и разоряться ( "Конкуренция такая что хоть дустом их трави!" (с) /Л. Филатов/). Это обернётся 13% - 18% снижением времени решения задач при том же ЦП.
Да, эта пойдёт без проблем. А плату-маму я бы при возможности сменил на ATX - у микроАТХ спецификацией предусмотрено всего два модуля памяти, и ограничение контроллера памяти ЦП - ёмкость каждого модуля <=8 Гб (на 16 чипах по 4Гбит). Вот отсюда и вылезли 16 Гб = 2 модуля по 8 Гб каждый, усё, и только 1.5 - 1,65V модули. С 1,35V ваш ЦП работать не будет.
Добавлено:
Разумнее будет продать старый модуль малой ёмкости (кому-то и он ещё пригодится) и купить пару 2 по 8 Гб - сегодня их цены не кусачие ибо это массовые изделия, а потому заводы вынуждены снижать цену до минимума или затоварятся и разоряться ( "Конкуренция такая что хоть дустом их трави!" (с) /Л. Филатов/). Это обернётся 13% - 18% снижением времени решения задач при том же ЦП.
И все же не могу нигде найти макс. объем поддерживаемой оперативной памяти. В программах по сбору данных об оборудовании везде разные данные. Системный блок - Lenovo IdeaCentre H520 (57314099).
Demosfen1985
Надо видеть фото системной платы. 8 Гб на слот. И то, могут быть подводные камни типа тех что заложены в G41/G43/P43/P45/Q43/Q45 Express Chipsert (выписка из даташита на чипсет, том1 , стр 31):
Supports 512-Mb, 1-Gb, 2-Gb DDR2 and 512-Mb, 1-Gb DDR3 DRAM technologies for x8 nd x16 devices.
Using 512 Mb device technologies, the smallest memory capacity possible is 256 MB, assuming Single Channel Mode with a single x16 single sided un-buffered
non-ECC DIMM memory configuration.
Using 2 Gb device technologies, the largest memory capacity possible is 16 GB, assuming Dual Channel Mode with four x8 double sided un-buffered non-ECC or ECC DIMM memory configurations.
NOTE: The ability to support greater than the largest memory capacity is subject to availability of higher density memory devices.
при этом о том, что максимальное число адресуемых модулей не более четырёх в доках сказано, а о том что для работы четырёх модулей они должны иметь организацию 8х512М (DDR2) / 8x256M (DDR3), как и про то что, модули с организацией 2x8x256M (DDR2) / 2x8x128M (DDR3) (двухсторонние с независимой адресацией сторон) поскольку они адресуются как два отдельных модуля молчат как воды в рот набрали. Я с трудом из них выдрал подтверждение этого факта прижав показаниями приборов.
Надо видеть фото системной платы. 8 Гб на слот. И то, могут быть подводные камни типа тех что заложены в G41/G43/P43/P45/Q43/Q45 Express Chipsert (выписка из даташита на чипсет, том1 , стр 31):
Supports 512-Mb, 1-Gb, 2-Gb DDR2 and 512-Mb, 1-Gb DDR3 DRAM technologies for x8 nd x16 devices.
Using 512 Mb device technologies, the smallest memory capacity possible is 256 MB, assuming Single Channel Mode with a single x16 single sided un-buffered
non-ECC DIMM memory configuration.
Using 2 Gb device technologies, the largest memory capacity possible is 16 GB, assuming Dual Channel Mode with four x8 double sided un-buffered non-ECC or ECC DIMM memory configurations.
NOTE: The ability to support greater than the largest memory capacity is subject to availability of higher density memory devices.
при этом о том, что максимальное число адресуемых модулей не более четырёх в доках сказано, а о том что для работы четырёх модулей они должны иметь организацию 8х512М (DDR2) / 8x256M (DDR3), как и про то что, модули с организацией 2x8x256M (DDR2) / 2x8x128M (DDR3) (двухсторонние с независимой адресацией сторон) поскольку они адресуются как два отдельных модуля молчат как воды в рот набрали. Я с трудом из них выдрал подтверждение этого факта прижав показаниями приборов.
/VictorVG2
Я в приват вам могу написать?
Я в приват вам могу написать?
Цитата:
про то что, модули с организацией 2x8x256M (DDR2) / 2x8x128M (DDR3) (двухсторонние с независимой адресацией сторон) поскольку они адресуются как два отдельных модуля молчат как воды в рот набрали
Почему молчат?
Об этом же и написано, хоть и не вполне явно, но однозначно:
Цитата:
Using 2 Gb device technologies, the largest memory capacity possible is 16 GB, assuming Dual Channel Mode with four x8 double sided un-buffered non-ECC or ECC DIMM memory configurations.
По-другому эти 16 гигов из х8-чипов не наберешь же :)
Страницы: 12345678910111213141516171819202122232425262728293031323334353637383940414243444546474849505152535455565758596061626364656667686970
Предыдущая тема: Выбор комплектующих для видеонаблюдения (CCTV)
Форум Ru-Board.club — поднят 15-09-2016 числа. Цель - сохранить наследие старого Ru-Board, истории становления российского интернета. Сделано для людей.